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半岛新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录

发布日期:2024-07-18 12:15 浏览次数:

  半岛综合体育【新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录】财联社7月18日电,据美国趣味科学网站16日报道,来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部(DEVCOM)陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家半岛,利用名为三元石英的晶体材料,成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体半岛。薄膜厚度仅100纳米,约为人头发丝直径的千分之一半岛半岛。其中电子的迁移速度创下新纪录半岛,约为传统半导体的7倍。这一成果有助科学家研制新型高效电子设备。相关论文发表于《今日材料物理学》杂志。