格科微（上海）申请一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法及半导体器件专利通过调整光罩掩膜可同时形成立体晶体管和沟槽电容半岛

　　半岛综合体育金融界 2024 年 9 月 3 日消息，天眼查知识产权信息显示半岛，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法及半导体器件“，公开号 CN7.6，申请日期为 2023 年 3 月半岛。

　　专利摘要显示半岛，本发明提供一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法，包括：根据预设的第一掩膜层，刻蚀半导体衬底，同时形成第一沟槽和第二沟槽；同时于所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成多晶半导体层；于所述第一沟槽处形成立体晶体管结构，并于所述第二沟槽处形成沟槽电容半岛。本发明可以通过调整光罩掩膜的设计可以同时形成立体晶体管和沟槽电容。此外半岛，立体晶体管和沟槽电容的尺寸大小还可以通过工艺以及版图尺寸自由调节，满足不同电路的设计需求。本发明中，工艺所涉及到的光罩图案简单，具有较高的工艺窗口。