华虹半导体（无锡）申请闪存器件结构及其制造方法专利提升闪存器件制造效果半岛综合体育

　　半岛综合体育金融界 2024 年 9 月 3 日消息，天眼查知识产权信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“闪存器件结构及其制造方法“，公开号 CN6.7，申请日期为 2024 年 5 月半岛综合体育。

　　专利摘要显示半岛综合体育，本申请涉及半导体集成电路制造技术领域半岛综合体育，具体涉及闪存器件结构及其制造方法半岛综合体育。该方法包括：同步地在闪存电容测试区和高压器件区上依次形成包含第一氧化层、氮化物层和第二氧化层的层间介质层；同步地在闪存电容测试区、高压器件区和逻辑区上形成第二多晶硅；在第一掩模板的遮蔽作用下，以高压器件区区第二氧化层为刻蚀停止层，刻蚀去除位高压器件区中的第二多晶硅；在第二掩模板的遮蔽作用下，以闪存电容测试区第二氧化层为刻蚀停止层，同步地刻蚀去除靠近闪存电容测试区高压器件区位置处的第二多晶硅和逻辑区部分位置的第二多晶硅，以实现闪存电容测试区部分第二多晶硅与高压器件区分开刻蚀半岛综合体育。