半岛综合体育专利摘要显示,一种半导体器件,包括:衬底半岛综合体育,包括第一区域和第二区域;位线结构,在第一区域和第二区域上延伸;上间隔物结构,在衬底的第一区域上的位线结构的第一侧壁上;以及绝缘间隔物结构,在衬底的第二区域上的位线结构的第一侧壁上。上间隔物结构可以包括在第一水平方向上顺序堆叠在位线结构的侧壁上的第一上间隔物、第二上间隔物和第三上间隔物半岛综合体育半岛综合体育。绝缘间隔物结构可以包括在第一水平方向上顺序堆叠在位线结构的第一侧壁上的第一绝缘间隔物、第二绝缘间隔物、第三绝缘间隔物和第四绝缘间隔物半岛综合体育。第一绝缘间隔物半岛综合体育、第二绝缘间隔物和第三绝缘间隔物分别包括与第一上间隔物、第二上间隔物和第三上间隔物基本上相同的材料。
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